<^ml-conjiuctoi zpioducti, 20 stern ave. springfield, new jersey 07081 u.s.a. telephone: (973) 376-2922 (212) 227-6005 fax: (973) 378-8960 doubles transistors pnp silicium planar epitaxiaux dual pnp silicon transistors epitaxial plmir * 2n 3350 *2n 3351 *2n 3352 ? amplification diffsrentielle differential amplification transistors comptementaires aux 2n 2642 a 2n 2644 complementary transistors of 2n 2642 to 2n 2644 dissipation de puissance maximale mmiikuh , b vceo 'c h21e(10ma) h21e1 h21e2 -46 v -30 ma 100 - 300 0,9 min. 0,8 min, 0,6 min. 2n 3350 2n 3351 2n 3352 150 200 lco,,cc)(3)(4) bottler f 100 cast *tfl b? valeurs limites absolues d'utilisation a tamb=25c absolute ntinffs (limiting vtluttt ( sauf indications contrairos ) iunliss atarwin sftalitil} ?^^^^^^ rwvpvn* fn*m**r tension collactaur-bua cotlfctor>t>?lf volttgm tension collecteur-emetteur calltctor-tmlltn volum tension 4metteur-base fmitur-tiit relttgt courant collecteur collector cvrrtrtt t ._ =.2s?c 1 **ment (1) dissipation de puissance 2 4l*ment! <2> powir dliitpition t =25?c t^171"1* <3> 2 elements (4) temperature de jonction junction ttmptwiun max' temperature de stockage min storage tmmpertturm max. vcbo vceo vebo pc ptot *i 'stg -60 -45 -6 -30 0,3 0,6 0,6 1,2 175 -65 +200 v v v ma w w c c \ s?mi-c niiduuon resmw ih? right in thong* (ml conditions, pramelcr limim wd pickag* jlmensiofis \viihmrt nolioe inrbrmulhin lurnrrwd by ni scmk'umhklim it bdmvcil in rw hiilh ucwvato ,iml rdiuhu il irm itnw of guinf lo pros. however s-1 n-iiii 11 hiltm.lnn is.miiiki m> fe^pniuibiliry kir m> ein? m seim-t i
2n335o* 2n3351 * 2n 3352* caracteristiques generates a tamb = 25c general characteristics is?ut indications conuaires) [unlais athaewisa samcifiadl caracteristiques 0' appariement hitching ctlinctiristid rfefmmktn -'?' rofbafftlf de transfer! direct du courant static forward current tmntfor ratio balance tension differentielle base-6metteur coefficient de temperature de la tension ba?*n.itw voltage differential %*saa*** fhff ffaa^^^^f " ],. =.-10^a vrp = -5v iq = ? 1ujim vce s v lc = -10jia vce-_5v -55c<3tamb<+25sc lc --10 ma vce? 5 v +25octamb<+125ec ' 2N3350 2n3361 2n3352 2n 3350 2n3361 2n3352 2n 3350 2n3351 2n3352 2n 3350 2n33s1 2n3352 h2le1 h21e2 (note t) j - v be1 0e2 avbe1-vb2 ^'amb fr 0,9 0,3 0,6 sr ;? i i i 5 10 20 0,8 1,8 3,2 1 2 4 mv juv/c note 1 : h211 est le plus petit ties deux hjie mesures. the lowest h2i malting is taken at h21e1 caracteristiques statiques pour chaque transistor elementajre stitic chtnchritlies tar itch ilim'ntary trtutistar courant risiduel collecteur-baw collfctofttttf cut-off currmnt courant residue! emetteur-base emittsr-bttt cut-off currant tension de claquage collecteur-base collfctorbatt brtmkdown voltmga tension de claquage collecteur-emetteur cohrctor-tmitttr bramkdawn trottaii tension de claquage emetteur-baw emiliar-batf braakdown voltaga valeur statique du rapport du transfer! direct du courant static forward currant trantfar ratio 'e " vcb --45v ie - o vcb = ~4s v 'amb'150'0 ?c - veb - -8v ie - o lc = -lojaa ib =0 lc - -10ma ic .0 ie = -lo^a lc = -lo^a vce ? -5 v lc . -i ma vce = -5 v 'cbo 'ebo v(bfi)cbo ^(brices v(br)ebo h21 e -60 -45 - 6 100 150 -10 -10 -2 300 na jua na na v v
*2n 3350 *2n 3351 *2n 3352 caracteristiques generates a tamb = 25c general characteristics caracteristiques statiques pour chaque transistor elementaire stitic cluncttristies for ??* tlimtntiry trusiitor fllfiieiflf atfmmmf tension base-emetteur bitumittlr rolttgt tension de saturation collecteur-imetteur cotttctor-imtttmr smtuntion vofttgt jtj^^g^^jj^^ f \ - -10ma vce - -5 v lc = -10ma ib - -0,5 ma > vbe vcelat .m* ik*. l?. trr- mm. ha -0,9 0,5 v v caracteristiques dynamiques (pour petiu signau?) dynnmic chtnctiristics /for saill sig rapport da transfert direct du courant foewmrd currant trtntffr rmtio impddance d'entree input impmdtnef admittance de sortie output tdmltttnct frequence de transition trmnsltlon frtquuney capacity de sortie output cipfcltmncf capacity d'entrea input cmpicittncf facteur de bruit noltt fiiun f - 1 khz iq = ?1 ma vce ? 5v f - 1 khz 'c ? ~' m* vc = -5 v f = 1 khz lc " -1 ma vce--5v iq = ?1 ma vce " ~5 v f - 30 whz vcb - -5 v ie =0 f = 1 mhz veb - --s v ic = o f - 1 mhz lc = -10 fia vce ? -5 v rg ?= 10 kn b =15.7 khz h21e "lie ^e *t c22b c11b f 150 3,7 60 600 20 100 6 8 4 kfi ms mhz pf pf db
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